主动和被动电子元件

为了快速破坏电子设备并确保信息安全，本文设计了瞬态电子设备的破坏机制。通过将芯片和封装之间的Ni-Cr膜电阻和能量材料放置并通过电流加热电阻，能量材料膨胀和芯片破裂。芯片上的信息被销毁。作者通过ANSYS软件模拟了不同尺寸的电源结构的温度分布和应力。仿真结果表明，当一个面积1mm的圆形槽时，芯片裂缝在0.5 a的触发电流下。²和0.1毫米的深度填充有膨胀系数10的膨胀材料^-5°C.^-1。然后，作者准备了一个试样进行实验验证。实验结果表明，样品芯片在1 A的触发电流下迅速裂缝并在10毫秒内失效。模拟和实验结果证实了该结构在快速破坏中的可行性，为开发瞬时故障集成电路产品奠定了基础符合信息安全应用程序。

已经完成了完全耗尽的硅与绝缘体技术节点中的低频噪声（LFN）的彻底调查已经完成，指出掩埋氧化物（箱）和Si-Box接口到总漏电流噪声的贡献等级。已经建立了一种新的分析多层栅极堆叠平带电压波动的模型，并且已经执行了2D数值模拟以识别LFN取决于的主要噪声源和相关参数。可以通过对1 / F噪声的访问阻力贡献来解释强反转时噪声的增加。因此，考虑到信道中的不相关噪声源和源/漏区，通过添加到频道噪声可以简单地获得总低频噪声来获得源自从接入区域的过量噪声的贡献（ΔR.）。此外，在这项工作中仅使用两个配合参数：盒子中的陷阱体积密度，以及源自接入串联电阻的1 / f接入噪声水平，其假设前面和后部接口是相同的。

无线电力传输（WPT）是实现长途飞行时间的一种解决方案，并容纳微型未焊接的空中车辆的各种任务（MAV）。由于使用毫米波（MMW）方法，可以降低电力传输距离和实现高光束效率的限制。尽管如此，没有相关文献的报告描述了使用MMW对MAV发送电力的调查，因为MMW预直线具有低效率。我们研究的目的是在使用MMW的MAV应用的94 GHz下对高效和高功率固定的基础研究。如本文所述，我们在94GHz上开发并评估了100MW级单二极管整流器，其中波导（WG）的芬兰线线为微带线（MSL）换能器。输入功率为128 MW的最佳负载，输出直流电源和整流效率分别为41.7 mw和32.5％。通过比较早期的研究，通过本研究的高功率输入下的94 GHz整流器的测量变得更加准确。

本文提出了超高功率低噪声放大器（LNA）的计算和设计。LNA从5 GHz到10 GHz操作，并使用前体偏置技术来降低电路的功耗。设计围绕与输入阻抗，输出阻抗和电路增益相关的精确计算。MATLAB和高级设计系统（广告）用于设计和模拟LNA。此外，TSMC 0.13 μ.M CMOS工艺用于广告中。LNA用两个不同的电压供应偏置，以降低功耗。噪声图（NF），输入匹配（S11），增益（S21），IIP3和功耗为1.46 DB-2.27 DB，-11.25 dB，13.82 dB，-8.5和963 μ.W分别。

提出了具有高信号隔离的四端口双模双工器的易用性。只有使用一个谐振器滤波器拓扑结构，可实现具有高信号隔离的紧凑双模双工器。两个背对背双模式双工器在一个分支中具有180°相移。通过幅度和相消除技术可以实现高隔离技术。通过相移器可以容易地实现延迟传输线。模拟和测量的四端口双模式双工器分别以1.95GHz和2.14GHz的Rx / Tx的中心频率设计。RX / TX双模式双工器器件的测量结果具有47.1dB Rx / Tx隔离。该四端口双模双工器实现隔离（S._32.与传统的三端口双模式双工器结构相比，超过24.1dB。

具有接地栅极屏蔽结构的LDMOS器件进行了模拟和测试，旨在同时解决热载波抗扰度和鲁棒性。发现接地栅极屏蔽结构的最佳配置，以降低栅极到漏极重叠的局部电场强度，以便更好的热载体免疫力，并在鲁棒性上实现排水侧的均匀E场分布。通过仿真和硅数据分析了热载体免疫（HCI）和稳健性的设计折衷。